Krunter Future Tech (Dongguan) Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski

Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
IGBT Modülü
Created with Pixso.

Uzay tasarrufu yapan tesisler için kompakt ve hafif IGBT modülü KES650H12A8L-2M

Uzay tasarrufu yapan tesisler için kompakt ve hafif IGBT modülü KES650H12A8L-2M

Marka Adı: Krunter
Model Numarası: KES650H12A8L-2M
Ayrıntılı Bilgiler
Moisture Sensitive:
YES
Output Current:
60A
Dimensions:
25mm x 50mm x 10mm
Close:
No Shutdown
Maximum Operating Temperature:
150°C
Input Range:
4.5V~5.5V
Collector-Emitter Voltage:
600V
Number Of Pins:
7
Lead Times:
Immediately Shipment
Contact Resistance:
30mΩ
Thermal Resistance:
0.5°C/W
Peak Repetitive Reverse:
100-1600V
Application:
Power Conversion
Qualification:
Industrial
Organization:
512 M x 16
Vurgulamak:

Kompakt IGBT Modülü

,

Yer tasarrufu yapan IGBT modülü

,

Hafif IGBT Modülü

Ürün Tanımı

KES650H12A8L-2M

  • Trench FS IGBT teknolojisi ile yüksek güç yoğunluğu

  • Düşük VCE (satür)

  • Paralel çalışma mümkün; simetrik tasarım ve pozitif sıcaklık katsayısı

  • Düşük endüktansa tasarımı

  • Entegre NTC sıcaklık sensörü

  • DBC teknolojisini kullanan yalıtılmış taban plaka

  • Kalıplı terminallerle kompakt ve sağlam tasarım

İç devre diyagramı

Uzay tasarrufu yapan tesisler için kompakt ve hafif IGBT modülü KES650H12A8L-2M 0

Spesifikasyon parametreleri

TYPE VBR
Volts
VGS ((th)
Volts
Kimlik
Amperler
RDS (açık)
IDSS
UA
TJ Rth ((JC)
K/W
Ptot
Watts
Çember Paket Teknoloji
KES400H12A8L-2M 1200V 3.2V 400A 3.7mΩ 200uA 175°C 0.064 2230W 2 Paket ECDUAL3 SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M 1200V 3.2V 650A 2.2mΩ 200uA 175°C 0.064 3200W 2 Paket SIC MOSFET


Uzay tasarrufu yapan tesisler için kompakt ve hafif IGBT modülü KES650H12A8L-2M 1