Ürün ayrıntıları

Created with Pixso. Evde Created with Pixso. Ürünler Created with Pixso.
IGBT Modülü
Created with Pixso.

Uzay tasarrufu yapan tesisler için kompakt ve hafif IGBT modülü KES650H12A8L-2M

Uzay tasarrufu yapan tesisler için kompakt ve hafif IGBT modülü KES650H12A8L-2M

Marka Adı: Krunter
Model Numarası: KES650H12A8L-2M
Ayrıntılı Bilgiler
Moisture Sensitive:
YES
Output Current:
60A
Dimensions:
25mm x 50mm x 10mm
Close:
No Shutdown
Maximum Operating Temperature:
150°C
Input Range:
4.5V~5.5V
Collector-Emitter Voltage:
600V
Number Of Pins:
7
Lead Times:
Immediately Shipment
Contact Resistance:
30mΩ
Thermal Resistance:
0.5°C/W
Peak Repetitive Reverse:
100-1600V
Application:
Power Conversion
Qualification:
Industrial
Organization:
512 M x 16
Vurgulamak:

Kompakt IGBT Modülü

,

Yer tasarrufu yapan IGBT modülü

,

Hafif IGBT Modülü

Ürün Tanımı

KES650H12A8L-2M

  • Trench FS IGBT teknolojisi ile yüksek güç yoğunluğu

  • Düşük VCE (satür)

  • Paralel çalışma mümkün; simetrik tasarım ve pozitif sıcaklık katsayısı

  • Düşük endüktansa tasarımı

  • Entegre NTC sıcaklık sensörü

  • DBC teknolojisini kullanan yalıtılmış taban plaka

  • Kalıplı terminallerle kompakt ve sağlam tasarım

İç devre diyagramı

Uzay tasarrufu yapan tesisler için kompakt ve hafif IGBT modülü KES650H12A8L-2M 0

Spesifikasyon parametreleri

TYPE VBR
Volts
VGS ((th)
Volts
Kimlik
Amperler
RDS (açık)
IDSS
UA
TJ Rth ((JC)
K/W
Ptot
Watts
Çember Paket Teknoloji
KES400H12A8L-2M 1200V 3.2V 400A 3.7mΩ 200uA 175°C 0.064 2230W 2 Paket ECDUAL3 SIC MOSFET
KES650H12A8L-2M 1200V 3.2V 650A 2.2mΩ 200uA 175°C 0.064 3200W 2 Paket SIC MOSFET


Uzay tasarrufu yapan tesisler için kompakt ve hafif IGBT modülü KES650H12A8L-2M 1